IXTQ100N25P PolarHT Power MOSFET

IXTQ100N25P PolarHT Power MOSFET
Производитель: IXYS
Модель: IXTQ100N25P
Наличие: 176
Цена: 216.00 грн.

5 или более: 210.00 грн.
10 или более: 204.00 грн.
25 или более: 198.00 грн.
50 или более: 192.00 грн.
100 или более: 186.00 грн.
150 или более: 180.00 грн.
Кол-во:
  - или -   В закладки

PolarHT Power MOSFET N-CH 250V 100A TO-3P

Технические характеристики:

Transistor Polarity: N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 250 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: ±20 V
Id - Continuous Drain Current: 100 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 27 mOhms
Configuration: Single
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 5 V
Qg - Gate Charge:; 185 nC
Pd - Power Dissipation: 600 W
Channel Mode: Enhancement
Fall Time: 28 ns
Forward Transconductance - Min: 40 S
Rise Time: 26 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 100 ns
Case: TO-3P
Operating Temperature: - 55 ~ 150 °C
Метки: MOSFET