Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения. Транзисторы 2Т506А, 2Т506Б, КТ506А, КТ506Б выпускаются в металлическом корпусе ТО-39 со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Основные технические характеристики транзистора КТ506Б:
- Структура транзистора: n-p-n;
- Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 10 Вт;
- fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора: не менее 10 МГц;
- Uкб max - Максимальное напряжение коллектор-база: 800 В;
- Uкэ max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 300 В;
- Uэб max - Максимальное напряжение эмиттер-база: 5 В;
- Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А;
- h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора: 30.