КТ506Б Ni биполярный транзистор

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения. Транзисторы 2Т506А, 2Т506Б, КТ506А, КТ506Б выпускаются в металлическом корпусе ТО-39 со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.

Основные технические характеристики транзистора КТ506Б:

• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 10 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора: не менее 10 МГц;
• Uкб max - Максимальное напряжение коллектор-база: 800 В;
• Uкэ max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 300 В;
• Uэб max - Максимальное напряжение эмиттер-база: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора: 30.